তাপীয় আয়নীকরণ তত্ত্ব

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে
Surface ionization of cesium

তাপীয় আয়নন বা তাপীয় আয়নীকরণ তত্ত্ব একটি ভৌত প্রক্রিয়া যেখানে উত্তপ্ত পৃষ্ঠতল থেকে অনুর নিঃসরণ হয় এবং অণুগুলি আয়নিত অবস্থায় থাকে। পদার্থের এই ধর্মটি কাজে লাগিয়ে মাস স্পেক্ট্রস্কোপির প্রয়োজনে আয়ণ উৎস ও অয়ন বিম তৈরি করা হয়। মৌলের আণবিক ভর পরিমাপ করতে এটি বহুল ব্যবহার করা হয়।[১][২]

তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]

  1. Alton, G. D. (১৯৮৮)। "Characterization of a cesium surface ionization source with a porous tungsten ionizer. I" (পিডিএফ)Review of Scientific Instruments59 (7): 1039–1044। আইএসএসএন 0034-6748ডিওআই:10.1063/1.1139776বিবকোড:1988RScI...59.1039A 
  2. Barshick, C; Duckworth, D; Smith, D (২০০০)। Inorganic mass spectrometry : fundamentals and applicationsসীমিত পরীক্ষা সাপেক্ষে বিনামূল্যে প্রবেশাধিকার, সাধারণত সদস্যতা প্রয়োজন। New York, NY [u.a.]: Dekker। পৃষ্ঠা 1আইএসবিএন 9780824702434